Transistor stimato del macchinario di Kretek completamente della valanga nana di Sasib 3000

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Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

1. Fabbricazione in serie

Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.

2. MOSFET

Il transistor di effetto di campo del metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET), anche conosciuto come il transistor del MOS, è stato inventato da Mohamed Atalla e da Dawon Kahng nel 1959. Il MOSFET era il primo transistor vero compatto che potrebbe essere miniaturizzato e prodotto in seriee per una vasta gamma di usi. Con la sua alta scalabilità e molti consumo di energia più basso e più ad alta densità transistor di giunzione bipolare, il MOSFET ha permesso di costruire i circuiti integrati ad alta densità, permettendo l'integrazione di più di 10.000 transistor in singolo IC.

3. CMOS

Il CMOS (MOS complementare) è stato inventato da Chih-Tang Sah e da Frank Wanlass al semiconduttore di Fairchild nel 1963. Il primo rapporto di un MOSFET del galleggiare-portone è stato stendere da Dawon Kahng e da Simon Sze nel 1967. Un MOSFET del doppio portone in primo luogo è dimostrato stato nel 1984 dai ricercatori elettrotecnici Toshihiro Sekigawa e Yutaka Hayashi del laboratorio