Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Creatore |
Quantità di ordine minimo: | 2 pc |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | cartone |
Tempi di consegna: | 5-8 giorni |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
Altri modelli: | Skoda, CME, Sasib | Personalizzabile: | Positivo |
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Trasporto del mare: | Con i più grandi ordini soltanto | Modelli a macchina: | Protos, passim, MK8, MK9, |
Porto dell'imbarco: | Canton, Shanghai | Diametro della sigaretta: | 5.4mm - 8.0mm |
Evidenziare: | Catena d'imballaggio della sigaretta transistor,Transistor della macchina della sigaretta di Protos,Transistor della macchina della sigaretta di Hauni |
Catena d'imballaggio nana della sigaretta di Hauni Protos commutazione veloce Irfz44ns
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
1. Radiolina della tasca
La prima radiolina della tasca «del prototipo» è stata indicata da INTERMETALL (una società fondata da Herbert Mataré nel 1952) al Internationale Funkausstellung Düsseldorf fra il 29 agosto 1953 ed il 6 settembre 1953. La prima radiolina della tasca «di produzione» era Regency TR-1, liberato nell'ottobre 1954.
1. Transistor ad alta frequenza
Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.
1. Transistor di giunzione bipolare
I primi transistor di giunzione bipolare sono stati inventati da William Shockley dei laboratori di Bell, che ha fatto domanda per il 26 giugno 1948 il brevetto (2.569.347). Il 12 aprile 1950, i chimici Gordon Teal di Bell Labs e Morgan Sparks avevano prodotto con successo un transistor d'amplificazione funzionante del germanio della giunzione bipolare di NPN.
Persona di contatto: Henry
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