Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Creatore |
Quantità di ordine minimo: | 2 pc |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | cartone |
Tempi di consegna: | 5-8 giorni |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
Altri modelli: | Skoda, CME, Sasib | applicazione: | Applicazione della colla |
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Dimensione delle sigarette: | La dimensione di re eccellente dimagrisce/nano | Campione: | Soltanto una volta fatto pagare |
Durezza: | Notevolmente migliorato | Trasporto del mare: | Con i più grandi ordini soltanto |
Evidenziare: | Transistor nano del silicio,Transistor dei pezzi meccanici della sigaretta |
Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Sasib 3000
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
1. Importanza
I transistor sono i componente attivi chiave in praticamente tutta l'elettronica moderna. Molti considerano così il transistor come una di più grandi invenzioni dello XX secolo.
L'invenzione del primo transistor a Bell Labs è stata nominata una pietra miliare di IEEE nel 2009. La lista delle pietre miliari di IEEE inoltre comprende le invenzioni del transistor di giunzione nel 1948 e del MOSFET nel 1959.
1. CMOS
Il CMOS (MOS complementare) è stato inventato da Chih-Tang Sah e da Frank Wanlass al semiconduttore di Fairchild nel 1963. Il primo rapporto di un MOSFET del galleggiare-portone è stato stendere da Dawon Kahng e da Simon Sze nel 1967. Un MOSFET del doppio portone in primo luogo è dimostrato stato nel 1984 dai ricercatori elettrotecnici Toshihiro Sekigawa e Yutaka Hayashi del laboratorio
1. MOSFET
Il transistor di effetto di campo del metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET), anche conosciuto come il transistor del MOS, è stato inventato da Mohamed Atalla e da Dawon Kahng nel 1959. Il MOSFET era il primo transistor vero compatto che potrebbe essere miniaturizzato e prodotto in seriee per una vasta gamma di usi. Con la sua alta scalabilità e molti consumo di energia più basso e più ad alta densità transistor di giunzione bipolare, il MOSFET ha permesso di costruire i circuiti integrati ad alta densità, permettendo l'integrazione di più di 10.000 transistor in singolo IC.
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