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Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos

Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos

  • Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos
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  • Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos
Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos
Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: Upperbond
Certificazione: CE, ISO
Numero di modello: Creatore
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 2 pc
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Capacità di alimentazione: 10000 pc/mese
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Termini di pagamento: pagamento anteriore di 50% Materiale: Acciaio inossidabile trattato
Capacità: 800-10000 cigs/min Porto dell'imbarco: Canton, Shanghai
Diametro della sigaretta: 5.4mm - 8.0mm Modelli di macchina: Protos, passim, MK8, MK9,
Evidenziare:

Transistor del silicio della macchina del tabacco

,

Transistor del silicio dei pezzi meccanici della sigaretta

Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos

Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Transistor del Punto-contatto

Nel 1948, il transistor del punto-contatto è stato inventato indipendente dai fisici tedeschi Herbert Mataré e Heinrich Welker mentre lavorava al DES Freins et Signaux Westinghouse, una filiale di Compagnie di Westinghouse situata a Parigi. Mataré ha avuto esperienza precedente in raddrizzatori a cristallo di sviluppo da silicio e da germanio nello sforzo tedesco del radar durante la seconda guerra mondiale. Facendo uso di questa conoscenza, ha cominciato a ricercare il fenomeno «di interferenza» nel 1947.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Transistor del silicio

Il primo transistor funzionante del silicio è stato sviluppato a Bell Labs il 26 gennaio 1954, da Morris Tanenbaum. Il primo transistor commerciale del silicio è stato prodotto da Texas Instruments nel 1954. Ciò era il lavoro di Gordon Teal, un esperto in cristalli crescenti di elevata purezza, che lavoro a Bell Labs.


Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio di Hauni Protos 0

Dettagli di contatto
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Persona di contatto: Winnie

Telefono: +8613763302491

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