Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Creatore |
Quantità di ordine minimo: | 2 pc |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | Cartone |
Tempi di consegna: | 5-8 giorni |
Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
Termini di pagamento: | Pagamento anticipato del 50%. | Materiale: | Acciaio inossidabile trattato |
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Modelli di macchine: | Protos, Passim, MK8, MK9, | Capacità: | 800-10000 cig/min |
Diametro sigaretta: | 5,4 mm - 8,0 mm | Porto dell'imbarco: | Canton, Shanghai |
Evidenziare: | Commutazione veloce Irfz44ns dell'imballatore della sigaretta,Macchina imballatrice Irfz44ns della sigaretta,Parti molli della macchina imballatrice della sigaretta di SASIB 3000 |
Rivelatore veloce nano dell'imballatore della sigaretta di commutazione Irfz44ns di Sasib 3000
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Autoradio del Tutto transistor
Il primo autoradio del tutto transistor «di produzione» è stato sviluppato da Chrysler e le società e di Philco sono stati annunciati nell'edizione del 28 aprile 1955 di Wall Street Journal. Chrysler aveva fatto l'autoradio del tutto transistor, Mopar 914HR, disponibile di modello come opzione che comincia nella caduta 1955 per la sua nuova linea di Chrysler 1956 e di automobili imperiali che in primo luogo ha colpito i pavimenti della sala d'esposizione di gestione commerciale il 21 ottobre 1955.
Importanza
I transistor sono i componente attivi chiave in praticamente tutta l'elettronica moderna. Molti considerano così il transistor come una di più grandi invenzioni dello XX secolo.
L'invenzione del primo transistor a Bell Labs è stata nominata una pietra miliare di IEEE nel 2009. La lista delle pietre miliari di IEEE inoltre comprende le invenzioni del transistor di giunzione nel 1948 e del MOSFET nel 1959.
Valutazioni massime assolute
Parametro | Massimo. | Unità | |
Identificazione @ Tq = 25°C | Corrente continua dello scolo, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ TC = 100°C | Corrente continua dello scolo, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corrente pulsata dello scolo① | 160 | |
@Ta del PALLADIO = 25°C | Dissipazione di potere | 3,8 | W |
Palladio @TC = 25°C | Dissipazione di potere | 94 | W |
Fattore riducente le imposte lineare | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tensione di Portone--fonte | ±20 | V |
Iar | Corrente della valanga① | 25 | |
Orecchio | Valanga ripetitiva Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recupero di punta dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Giunzione di funzionamento e | -55 + a 175 | °C |
Persona di contatto: Winnie
Telefono: +8613763302491
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