Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Creatore |
Quantità di ordine minimo: | 2 PCS |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | cartone |
Tempi di consegna: | 5-8 giorni |
Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
Termini di pagamento: | Pagamento anticipato del 50%. | personalizzabile: | Positivo |
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Capacità: | 800-10000 cig/min | Materiale: | Acciaio inossidabile trattato |
Posizione: | Garniture | Servizio: | ODM/OEM |
Evidenziare: | Passim transistor della macchina Irfz44nl della sigaretta,Transistor di Irfz44nl per la macchina della sigaretta,Passim transistor dei pezzi meccanici della sigaretta |
Passim le unità d'imballaggio di Kretek dei pezzi di ricambio della sigaretta commutano il transistor di Irfz44nl
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Transistor del silicio
Ciò era il lavoro di Gordon Teal, un esperto in cristalli crescenti di elevata purezza, che lavoro a Bell Labs.The in primo luogo che lavora il transistor del silicio sono stati diventati a Bell Labs il 26 gennaio 1954, da Morris Tanenbaum. Il primo transistor commerciale del silicio è stato prodotto da Texas Instruments nel 1954.
Vantaggi
È spesso più facile e più economico da utilizzare un microcontroller standard e da scrivere un programma per espletare una funzione di controllo che progettare un sistema meccanico equivalente a. Il basso costo, la flessibilità e l'affidabilità del transistor gli hanno reso un dispositivo onnipresente. I circuiti mechatronic transistorizzati hanno sostituito i dispositivi elettromeccanici in apparecchi e macchinario di controllo.
IRFZ44NS/LPbF
Parametro | Minuto. | |
V (BR) DSS | Tensione di ripartizione di Scolo--fonte | 55 |
△仏 Tj di V (BR) DSS | Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente | — |
RDS (sopra) | Su resistenza statica di Scolo--fonte | — |
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | 2,0 |
gts | Transconduttanza di andata | 19 |
bss | Corrente di perdita di Scolo--fonte | — |
— | ||
perdita | Perdita di andata di Portone--fonte | — |
Perdita inversa di Portone--fonte | — | |
Qg | Tassa totale del portone | — |
Qgs | Tassa di Portone--fonte | — |
Qgd | Tassa dello Portone--scolo («Miller») | — |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | — |
TR | Tempo di aumento | — |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | — |
tf | Tempo di caduta | — |
Ls | Induttanza interna di fonte | — |
Cjss | Capacità introdotta | — |
Coss | Capacità di uscita | — |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | — |
Eas | Singola valanga Energy® di impulso | — |
Persona di contatto: Kiana
Telefono: +8613824425740
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