Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

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Transistor del silicio

Il primo transistor funzionante del silicio è stato sviluppato a Bell Labs il 26 gennaio 1954, da Morris Tanenbaum. Il primo transistor commerciale del silicio è stato prodotto da Texas Instruments nel 1954. Ciò era il lavoro di Gordon Teal, un esperto in cristalli crescenti di elevata purezza, che lavoro a Bell Labs.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Transistor del Punto-contatto

Nel 1948, il transistor del punto-contatto è stato inventato indipendente dai fisici tedeschi Herbert Mataré e Heinrich Welker mentre lavorava al DES Freins et Signaux Westinghouse, una filiale di Compagnie di Westinghouse situata a Parigi. Mataré ha avuto esperienza precedente in raddrizzatori a cristallo di sviluppo da silicio e da germanio nello sforzo tedesco del radar durante la seconda guerra mondiale. Facendo uso di questa conoscenza, ha cominciato a ricercare il fenomeno «di interferenza» nel 1947.