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Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

Nome

Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

Marchio:	Upperbond
Numero di modello:	Creatore
MOQ:	2 pc
prezzo:	Negoziabile
Tempo di consegna:	5-8 giorni
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La Cina

Certificazione:

CE, ISO

Qty. su ogni macchina:

1

Macchina applicabile:

Creatore di sigaretta

Campione:

Soltanto una volta fatto pagare

Termini di pagamento:

pagamento anteriore di 50%

Posizione:

Garniture

Bordo affilato:

Nessuno

Imballaggi particolari:

Cartone

Capacità di alimentazione:

10000 pc/mese

Evidenziare:

Transistor del silicio della macchina di Kretek

,

Transistor ad alta frequenza della macchina della sigaretta

Descrizione del prodotto

Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

Transistor del silicio

Il primo transistor funzionante del silicio è stato sviluppato a Bell Labs il 26 gennaio 1954, da Morris Tanenbaum. Il primo transistor commerciale del silicio è stato prodotto da Texas Instruments nel 1954. Ciò era il lavoro di Gordon Teal, un esperto in cristalli crescenti di elevata purezza, che lavoro a Bell Labs.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Transistor del Punto-contatto

Nel 1948, il transistor del punto-contatto è stato inventato indipendente dai fisici tedeschi Herbert Mataré e Heinrich Welker mentre lavorava al DES Freins et Signaux Westinghouse, una filiale di Compagnie di Westinghouse situata a Parigi. Mataré ha avuto esperienza precedente in raddrizzatori a cristallo di sviluppo da silicio e da germanio nello sforzo tedesco del radar durante la seconda guerra mondiale. Facendo uso di questa conoscenza, ha cominciato a ricercare il fenomeno «di interferenza» nel 1947.

Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek 0

Tag:

rivelatore a macchina della sigaretta

frizione elettromagnetica del dente

innesto elettromagnetico miniatura

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Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

Tutte le categorie

pezzi di ricambio del macchinario del tabacco

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Nome

Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

Marchio:	Upperbond
Numero di modello:	Creatore
MOQ:	2 pc
prezzo:	Negoziabile
Dettagli dell' imballaggio:	Cartone
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La Cina

Marca:

Upperbond

Certificazione:

CE, ISO

Numero di modello:

Creatore

Qty. su ogni macchina:

1

Macchina applicabile:

Creatore di sigaretta

Campione:

Soltanto una volta fatto pagare

Termini di pagamento:

pagamento anteriore di 50%

Posizione:

Garniture

Bordo affilato:

Nessuno

Quantità di ordine minimo:

2 pc

Prezzo:

Negoziabile

Imballaggi particolari:

Cartone

Tempi di consegna:

5-8 giorni

Termini di pagamento:

T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Capacità di alimentazione:

10000 pc/mese

Evidenziare:

Transistor del silicio della macchina di Kretek

,

Transistor ad alta frequenza della macchina della sigaretta

Descrizione del prodotto

Mosfet nano Irfz44ns di versione del Attraverso-foro di Hauni Protos per le macchine di Kretek

Transistor del silicio

Il primo transistor funzionante del silicio è stato sviluppato a Bell Labs il 26 gennaio 1954, da Morris Tanenbaum. Il primo transistor commerciale del silicio è stato prodotto da Texas Instruments nel 1954. Ciò era il lavoro di Gordon Teal, un esperto in cristalli crescenti di elevata purezza, che lavoro a Bell Labs.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Transistor del Punto-contatto

Nel 1948, il transistor del punto-contatto è stato inventato indipendente dai fisici tedeschi Herbert Mataré e Heinrich Welker mentre lavorava al DES Freins et Signaux Westinghouse, una filiale di Compagnie di Westinghouse situata a Parigi. Mataré ha avuto esperienza precedente in raddrizzatori a cristallo di sviluppo da silicio e da germanio nello sforzo tedesco del radar durante la seconda guerra mondiale. Facendo uso di questa conoscenza, ha cominciato a ricercare il fenomeno «di interferenza» nel 1947.

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