Luogo di origine: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Maker |
Quantità di ordine minimo: | 2 pcs |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | Carton |
Tempi di consegna: | 5-8 days |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000 pcs/month |
Trasporto del mare: | Con i più grandi ordini soltanto | Campione: | Soltanto una volta fatto pagare |
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Colore: | Grigio/argento | Personalizzabile: | Positivo |
Altri modelli: | Skoda, CME, Sasib | Port of Shipment: | Guangzhou, Shanghai |
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Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Vantaggi
Il basso costo, la flessibilità e l'affidabilità del transistor gli hanno reso un dispositivo onnipresente. I circuiti mechatronic transistorizzati hanno sostituito i dispositivi elettromeccanici in apparecchi e macchinario di controllo. È spesso più facile e più economico da utilizzare un microcontroller standard e da scrivere un programma per espletare una funzione di controllo che progettare un sistema meccanico equivalente per controllare che la stessa funzione.
Fabbricazione in serie
Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.
Transistor ad alta frequenza
Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.
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