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Dettagli dei prodotti

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Passim pezzi di ricambio della sigaretta
Created with Pixso. Pezzi di ricambio elettronici nani della sigaretta di Kretek Irfz44nl passim

Pezzi di ricambio elettronici nani della sigaretta di Kretek Irfz44nl passim

Marchio: Upperbond
Numero di modello: Maker
MOQ: 2 pcs
prezzo: Negoziabile
Tempo di consegna: 5-8 days
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informazioni dettagliate
Place of Origin:
China
Certificazione:
CE, ISO
Trasporto del mare:
Con i più grandi ordini soltanto
Campione:
Soltanto una volta fatto pagare
Colore:
Grigio/argento
Personalizzabile:
Positivo
Altri modelli:
Skoda, CME, Sasib
Port of Shipment:
Guangzhou, Shanghai
Packaging Details:
Carton
Supply Ability:
10000 pcs/month
Evidenziare:

Transistor delle parti di ricambio della macchina della sigaretta

,

passim macchina Irfz44nl

,

passim parti della sigaretta di ricambio della macchina della sigaretta

Descrizione del prodotto

Pezzi di ricambio elettronici nani della sigaretta di Kretek Irfz44nl passim

Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Vantaggi

Il basso costo, la flessibilità e l'affidabilità del transistor gli hanno reso un dispositivo onnipresente. I circuiti mechatronic transistorizzati hanno sostituito i dispositivi elettromeccanici in apparecchi e macchinario di controllo. È spesso più facile e più economico da utilizzare un microcontroller standard e da scrivere un programma per espletare una funzione di controllo che progettare un sistema meccanico equivalente per controllare che la stessa funzione.

Fabbricazione in serie

Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

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Numero di modello: Maker
MOQ: 2 pcs
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China
Marca:
Upperbond
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Model Number:
Maker
Trasporto del mare:
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Grigio/argento
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Vantaggi

Il basso costo, la flessibilità e l'affidabilità del transistor gli hanno reso un dispositivo onnipresente. I circuiti mechatronic transistorizzati hanno sostituito i dispositivi elettromeccanici in apparecchi e macchinario di controllo. È spesso più facile e più economico da utilizzare un microcontroller standard e da scrivere un programma per espletare una funzione di controllo che progettare un sistema meccanico equivalente per controllare che la stessa funzione.

Fabbricazione in serie

Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

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