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Marchio: | Upperbond |
Numero di modello: | Creatore |
MOQ: | 2 pc |
prezzo: | Negoziabile |
Tempo di consegna: | 5-8 giorni |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor di IRFZ44NSTRLPBF
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
1. Caratteristiche
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
2. Valutazioni massime assolute
Parametro | Massimo. | Unità | |
Identificazione @ Tq = 25°C | Corrente continua dello scolo, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ TC = 100°C | Corrente continua dello scolo, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corrente pulsata dello scolo① | 160 | |
@Ta del PALLADIO = 25°C | Dissipazione di potere | 3,8 | W |
Palladio @TC = 25°C | Dissipazione di potere | 94 | W |
Fattore riducente le imposte lineare | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tensione di Portone--fonte | ±20 | V |
Iar | Corrente della valanga① | 25 | |
Orecchio | Valanga ripetitiva Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recupero di punta dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Giunzione di funzionamento e | -55 + a 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
Parametro | Minuto. | |
V (BR) DSS | Tensione di ripartizione di Scolo--fonte | 55 |
△仏 Tj di V (BR) DSS | Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente | — |
RDS (sopra) | Su resistenza statica di Scolo--fonte | — |
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | 2,0 |
gts | Transconduttanza di andata | 19 |
bss | Corrente di perdita di Scolo--fonte | — |
— | ||
perdita | Perdita di andata di Portone--fonte | — |
Perdita inversa di Portone--fonte | — | |
Qg | Tassa totale del portone | — |
Qgs | Tassa di Portone--fonte | — |
Qgd | Tassa dello Portone--scolo («Miller») | — |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | — |
TR | Tempo di aumento | — |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | — |
tf | Tempo di caduta | — |
Ls | Induttanza interna di fonte | — |
Cjss | Capacità introdotta | — |
Coss | Capacità di uscita | — |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | — |
Eas | Singola valanga Energy® di impulso | — |
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Marchio: | Upperbond |
Numero di modello: | Creatore |
MOQ: | 2 pc |
prezzo: | Negoziabile |
Dettagli dell' imballaggio: | cartone |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor di IRFZ44NSTRLPBF
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
1. Caratteristiche
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
2. Valutazioni massime assolute
Parametro | Massimo. | Unità | |
Identificazione @ Tq = 25°C | Corrente continua dello scolo, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ TC = 100°C | Corrente continua dello scolo, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corrente pulsata dello scolo① | 160 | |
@Ta del PALLADIO = 25°C | Dissipazione di potere | 3,8 | W |
Palladio @TC = 25°C | Dissipazione di potere | 94 | W |
Fattore riducente le imposte lineare | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tensione di Portone--fonte | ±20 | V |
Iar | Corrente della valanga① | 25 | |
Orecchio | Valanga ripetitiva Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recupero di punta dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Giunzione di funzionamento e | -55 + a 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
Parametro | Minuto. | |
V (BR) DSS | Tensione di ripartizione di Scolo--fonte | 55 |
△仏 Tj di V (BR) DSS | Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente | — |
RDS (sopra) | Su resistenza statica di Scolo--fonte | — |
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | 2,0 |
gts | Transconduttanza di andata | 19 |
bss | Corrente di perdita di Scolo--fonte | — |
— | ||
perdita | Perdita di andata di Portone--fonte | — |
Perdita inversa di Portone--fonte | — | |
Qg | Tassa totale del portone | — |
Qgs | Tassa di Portone--fonte | — |
Qgd | Tassa dello Portone--scolo («Miller») | — |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | — |
TR | Tempo di aumento | — |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | — |
tf | Tempo di caduta | — |
Ls | Induttanza interna di fonte | — |
Cjss | Capacità introdotta | — |
Coss | Capacità di uscita | — |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | — |
Eas | Singola valanga Energy® di impulso | — |