|
|
| Marchio: | Upperbond |
| Numero di modello: | Creatore |
| MOQ: | 2 pc |
| prezzo: | Negoziabile |
| Tempo di consegna: | 5-8 giorni |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, , Paypal |
Transistor
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Caratteristiche
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
IRFZ44NS/LPbF
| Parametro | Minuto. | |
| V (BR) DSS | Tensione di ripartizione di Scolo--fonte | 55 |
| △仏 Tj di V (BR) DSS | Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente | — |
| RDS (sopra) | Su resistenza statica di Scolo--fonte | — |
| VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | 2,0 |
| gts | Transconduttanza di andata | 19 |
| bss | Corrente di perdita di Scolo--fonte | — |
| — | ||
| perdita | Perdita di andata di Portone--fonte | — |
| Perdita inversa di Portone--fonte | — | |
| Qg | Tassa totale del portone | — |
| Qgs | Tassa di Portone--fonte | — |
| Qgd | Tassa dello Portone--scolo («Miller») | — |
| il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | — |
| TR | Tempo di aumento | — |
| il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | — |
| tf | Tempo di caduta | — |
| Ls | Induttanza interna di fonte | — |
| Cjss | Capacità introdotta | — |
| Coss | Capacità di uscita | — |
| Crss | Capacità inversa di trasferimento | — |
| Eas | Singola valanga Energy® di impulso | — |
Materiale
La maggior parte dei transistor sono fatti da silicio molto puro e da alcuno da germanio, ma determinati altri materiali a semiconduttore a volte sono usati. Un transistor può avere soltanto un genere di portatore di carica, in un transistor di effetto di campo, o può avere due generi di portatori di carica in dispositivi del transistor di giunzione bipolare.
Video
Video
