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Marchio: | Upperbond |
Numero di modello: | Creatore |
MOQ: | 2 pc |
prezzo: | Negoziabile |
Tempo di consegna: | 5-8 giorni |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Caratteristiche
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
IRFZ44NS/LPbF
Parametro | Minuto. | |
V (BR) DSS | Tensione di ripartizione di Scolo--fonte | 55 |
△仏 Tj di V (BR) DSS | Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente | — |
RDS (sopra) | Su resistenza statica di Scolo--fonte | — |
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | 2,0 |
gts | Transconduttanza di andata | 19 |
bss | Corrente di perdita di Scolo--fonte | — |
— | ||
perdita | Perdita di andata di Portone--fonte | — |
Perdita inversa di Portone--fonte | — | |
Qg | Tassa totale del portone | — |
Qgs | Tassa di Portone--fonte | — |
Qgd | Tassa dello Portone--scolo («Miller») | — |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | — |
TR | Tempo di aumento | — |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | — |
tf | Tempo di caduta | — |
Ls | Induttanza interna di fonte | — |
Cjss | Capacità introdotta | — |
Coss | Capacità di uscita | — |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | — |
Eas | Singola valanga Energy® di impulso | — |
Materiale
La maggior parte dei transistor sono fatti da silicio molto puro e da alcuno da germanio, ma determinati altri materiali a semiconduttore a volte sono usati. Un transistor può avere soltanto un genere di portatore di carica, in un transistor di effetto di campo, o può avere due generi di portatori di carica in dispositivi del transistor di giunzione bipolare.
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Marchio: | Upperbond |
Numero di modello: | Creatore |
MOQ: | 2 pc |
prezzo: | Negoziabile |
Dettagli dell' imballaggio: | Cartone |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Caratteristiche
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
IRFZ44NS/LPbF
Parametro | Minuto. | |
V (BR) DSS | Tensione di ripartizione di Scolo--fonte | 55 |
△仏 Tj di V (BR) DSS | Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente | — |
RDS (sopra) | Su resistenza statica di Scolo--fonte | — |
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | 2,0 |
gts | Transconduttanza di andata | 19 |
bss | Corrente di perdita di Scolo--fonte | — |
— | ||
perdita | Perdita di andata di Portone--fonte | — |
Perdita inversa di Portone--fonte | — | |
Qg | Tassa totale del portone | — |
Qgs | Tassa di Portone--fonte | — |
Qgd | Tassa dello Portone--scolo («Miller») | — |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | — |
TR | Tempo di aumento | — |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | — |
tf | Tempo di caduta | — |
Ls | Induttanza interna di fonte | — |
Cjss | Capacità introdotta | — |
Coss | Capacità di uscita | — |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | — |
Eas | Singola valanga Energy® di impulso | — |
Materiale
La maggior parte dei transistor sono fatti da silicio molto puro e da alcuno da germanio, ma determinati altri materiali a semiconduttore a volte sono usati. Un transistor può avere soltanto un genere di portatore di carica, in un transistor di effetto di campo, o può avere due generi di portatori di carica in dispositivi del transistor di giunzione bipolare.