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Un buon prezzo. in linea

Dettagli dei prodotti

Created with Pixso. Casa. Created with Pixso. prodotti Created with Pixso.
Pezzi meccanici della sigaretta di HLP
Created with Pixso. Attraverso i pezzi meccanici della sigaretta del Mosfet Irfz44ns HLP di versione del foro

Attraverso i pezzi meccanici della sigaretta del Mosfet Irfz44ns HLP di versione del foro

Marchio: Upperbond
Numero di modello: Creatore
MOQ: 2 pc
prezzo: Negoziabile
Tempo di consegna: 5-8 giorni
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
Certificazione:
CE, ISO
Trasporto:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, ecc
Colore:
Grigio/argento
Altri modelli:
Skoda, CME, Sasib
Trasporto del mare:
Con i più grandi ordini soltanto
Marca:
Upperbond
Personalizzabile:
Positivo
Imballaggi particolari:
Cartone
Capacità di alimentazione:
10000 pc/mese
Evidenziare:

Transistor dei pezzi meccanici di Cigarettery

,

pezzi meccanici della sigaretta di HLP transistor

,

componenti Irfz44ns della macchina della sigaretta

Descrizione del prodotto

Attraverso i pezzi meccanici della sigaretta del Mosfet Irfz44ns HLP di versione del foro

Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Nomina

Il transistor di termine è stato coniato da John R. Pierce come contrazione del transresistance di termine. Secondo Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, gli autori di una biografia di John Bardeen, Shockley avevano proposto che brevetto dei laboratori di Bell il primo per un transistor dovrebbe essere basato sull'effetto di campo e che è nominato come l'inventore.

IRFZ44NS/LPbF

Parametro Minuto.
V (BR) DSS Tensione di ripartizione di Scolo--fonte 55
△仏 Tj di V (BR) DSS Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente
RDS (sopra) Su resistenza statica di Scolo--fonte
VGS (Th) Tensione della soglia del portone 2,0
gts Transconduttanza di andata 19
bss Corrente di perdita di Scolo--fonte
perdita Perdita di andata di Portone--fonte
Perdita inversa di Portone--fonte
Qg Tassa totale del portone
Qgs Tassa di Portone--fonte
Qgd Tassa dello Portone--scolo («Miller»)
il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura
TR Tempo di aumento
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori
tf Tempo di caduta
Ls Induttanza interna di fonte
Cjss Capacità introdotta
Coss Capacità di uscita
Crss Capacità inversa di trasferimento
Eas Singola valanga Energy® di impulso

Attraverso i pezzi meccanici della sigaretta del Mosfet Irfz44ns HLP di versione del foro 0

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Numero di modello: Creatore
MOQ: 2 pc
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Luogo di origine:
La Cina
Marca:
Upperbond
Certificazione:
CE, ISO
Numero di modello:
Creatore
Trasporto:
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Colore:
Grigio/argento
Altri modelli:
Skoda, CME, Sasib
Trasporto del mare:
Con i più grandi ordini soltanto
Marca:
Upperbond
Personalizzabile:
Positivo
Quantità di ordine minimo:
2 pc
Prezzo:
Negoziabile
Imballaggi particolari:
Cartone
Tempi di consegna:
5-8 giorni
Termini di pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacità di alimentazione:
10000 pc/mese
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,

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,

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Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Nomina

Il transistor di termine è stato coniato da John R. Pierce come contrazione del transresistance di termine. Secondo Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, gli autori di una biografia di John Bardeen, Shockley avevano proposto che brevetto dei laboratori di Bell il primo per un transistor dovrebbe essere basato sull'effetto di campo e che è nominato come l'inventore.

IRFZ44NS/LPbF

Parametro Minuto.
V (BR) DSS Tensione di ripartizione di Scolo--fonte 55
△仏 Tj di V (BR) DSS Impiegati di tensione di ripartizione. Coefficiente
RDS (sopra) Su resistenza statica di Scolo--fonte
VGS (Th) Tensione della soglia del portone 2,0
gts Transconduttanza di andata 19
bss Corrente di perdita di Scolo--fonte
perdita Perdita di andata di Portone--fonte
Perdita inversa di Portone--fonte
Qg Tassa totale del portone
Qgs Tassa di Portone--fonte
Qgd Tassa dello Portone--scolo («Miller»)
il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura
TR Tempo di aumento
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori
tf Tempo di caduta
Ls Induttanza interna di fonte
Cjss Capacità introdotta
Coss Capacità di uscita
Crss Capacità inversa di trasferimento
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