Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Maker |
Quantità di ordine minimo: | 2 pcs |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | Carton |
Tempi di consegna: | 5-8 days |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000 pcs/month |
Capacità: | 800-10000 cigs/min | Marca: | Upperbond |
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Anti corrosione: | Garantito | Trasporto: | Aramex, DHL, Fedex, TNT, ecc |
Applicazione: | Applicazione della colla | Tipi: | Manuale/Pneumatc/elettrico |
Evidenziare: | Pezzi di ricambio della sigaretta Irfz44nl,Parti di ricambio della macchina della sigaretta Irfz44nl,Componenti Irfz44nl della macchina della sigaretta |
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Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Transistor di giunzione bipolare
I primi transistor di giunzione bipolare sono stati inventati da William Shockley dei laboratori di Bell, che ha fatto domanda per il 26 giugno 1948 il brevetto (2.569.347). Il 12 aprile 1950, i chimici Gordon Teal di Bell Labs e Morgan Sparks avevano prodotto con successo un transistor d'amplificazione funzionante del germanio della giunzione bipolare di NPN.
Caratteristiche
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
Importanza
I transistor sono i componente attivi chiave in praticamente tutta l'elettronica moderna. Molti considerano così il transistor come una di più grandi invenzioni dello XX secolo.
L'invenzione del primo transistor a Bell Labs è stata nominata una pietra miliare di IEEE nel 2009. La lista delle pietre miliari di IEEE inoltre comprende le invenzioni del transistor di giunzione nel 1948 e del MOSFET nel 1959.
Persona di contatto: Henry
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