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Un buon prezzo. in linea

Dettagli dei prodotti

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pezzi di ricambio del macchinario del tabacco
Created with Pixso. Parte elettrica dei pezzi di ricambio nani del tabacco dell'imballatore Irfz44ns della sigaretta

Parte elettrica dei pezzi di ricambio nani del tabacco dell'imballatore Irfz44ns della sigaretta

Marchio: Upperbond
Numero di modello: Creatore
MOQ: 2 pc
prezzo: Negoziabile
Tempo di consegna: 5-8 giorni
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
Certificazione:
CE, ISO
Termini di spedizione:
EXW, CATENA DELL'OROLOGIO, CFR, CIF
Colore:
Grigio/argento
Marca:
Upperbond
Trasporto:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, ecc
Circostanza:
Nuovissimo
Taglio del materiale:
Lato del filtro
Imballaggi particolari:
Cartone
Capacità di alimentazione:
10000 pc/mese
Evidenziare:

Parti elettriche del macchinario del tabacco

,

Parti elettriche dell'imballatore della sigaretta

,

Pezzi di ricambio Irfz44ns del macchinario del tabacco

Descrizione del prodotto

Parte elettrica dei pezzi di ricambio nani del tabacco dell'imballatore Irfz44ns della sigaretta

Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Fabbricazione in serie

Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.

Transistor di giunzione bipolare

I primi transistor di giunzione bipolare sono stati inventati da William Shockley dei laboratori di Bell, che ha fatto domanda per il 26 giugno 1948 il brevetto (2.569.347). Il 12 aprile 1950, i chimici Gordon Teal di Bell Labs e Morgan Sparks avevano prodotto con successo un transistor d'amplificazione funzionante del germanio della giunzione bipolare di NPN.

Materiale

La maggior parte dei transistor sono fatti da silicio molto puro e da alcuno da germanio, ma determinati altri materiali a semiconduttore a volte sono usati. Un transistor può avere soltanto un genere di portatore di carica, in un transistor di effetto di campo, o può avere due generi di portatori di carica in dispositivi del transistor di giunzione bipolare.

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Upperbond
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Colore:
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Quantità di ordine minimo:
2 pc
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Negoziabile
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Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Fabbricazione in serie

Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.

Transistor di giunzione bipolare

I primi transistor di giunzione bipolare sono stati inventati da William Shockley dei laboratori di Bell, che ha fatto domanda per il 26 giugno 1948 il brevetto (2.569.347). Il 12 aprile 1950, i chimici Gordon Teal di Bell Labs e Morgan Sparks avevano prodotto con successo un transistor d'amplificazione funzionante del germanio della giunzione bipolare di NPN.

Materiale

La maggior parte dei transistor sono fatti da silicio molto puro e da alcuno da germanio, ma determinati altri materiali a semiconduttore a volte sono usati. Un transistor può avere soltanto un genere di portatore di carica, in un transistor di effetto di campo, o può avere due generi di portatori di carica in dispositivi del transistor di giunzione bipolare.

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