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Passim pezzi di ricambio della sigaretta
Created with Pixso. Pezzi di ricambio elettrici della sigaretta di D2 PAK Mosfet Irfz 44ns passim

Pezzi di ricambio elettrici della sigaretta di D2 PAK Mosfet Irfz 44ns passim

Marchio: Upperbond
Numero di modello: Creatore
MOQ: 2 PCS
prezzo: Negoziabile
Tempo di consegna: 5-8 giorni
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
Certificazione:
CE, ISO
Macchina applicabile:
Creatore di sigaretta
Colore:
Grigio/argento
Porto dell'imbarco:
Canton, Shanghai
Modelli di macchina:
Protos, passim, MK8, MK9,
Diametro della sigaretta:
5.4mm - 8.0mm
Circostanza:
Nuovissimo
Imballaggi particolari:
Cartone
Capacità di alimentazione:
10000 pc/mese
Evidenziare:

Creatore di sigaretta Irfz44ns

,

Passim macchina Irfz44ns della sigaretta

,

Passim componenti della macchina della sigaretta

Descrizione del prodotto

Pezzi di ricambio elettrici della sigaretta di D2 PAK Mosfet Irfz 44ns passim

Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.

Caduta di tensione

L'immagine rappresenta un transistor bipolare tipico in un circuito. Una tassa entrerà fra l'emettitore ed i terminali di collettore secondo la corrente nella base. Poiché internamente i collegamenti dell'emettitore e della base si comportano come un diodo a semiconduttore, una caduta di tensione si sviluppa fra la base e l'emettitore mentre la corrente di base esiste. La quantità di questa tensione dipende dal materiale che il transistor è fatto da e si riferisce a come VBE.

MOSFET

Il transistor di effetto di campo del metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET), anche conosciuto come il transistor del MOS, è stato inventato da Mohamed Atalla e da Dawon Kahng nel 1959. Il MOSFET era il primo transistor vero compatto che potrebbe essere miniaturizzato e prodotto in seriee per una vasta gamma di usi. Con la sua alta scalabilità e molti consumo di energia più basso e più ad alta densità transistor di giunzione bipolare, il MOSFET ha permesso di costruire i circuiti integrati ad alta densità, permettendo l'integrazione di più di 10.000 transistor in singolo IC.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

Pezzi di ricambio elettrici della sigaretta di D2 PAK Mosfet Irfz 44ns passim 0

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Creatore
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5.4mm - 8.0mm
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L'immagine rappresenta un transistor bipolare tipico in un circuito. Una tassa entrerà fra l'emettitore ed i terminali di collettore secondo la corrente nella base. Poiché internamente i collegamenti dell'emettitore e della base si comportano come un diodo a semiconduttore, una caduta di tensione si sviluppa fra la base e l'emettitore mentre la corrente di base esiste. La quantità di questa tensione dipende dal materiale che il transistor è fatto da e si riferisce a come VBE.

MOSFET

Il transistor di effetto di campo del metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET), anche conosciuto come il transistor del MOS, è stato inventato da Mohamed Atalla e da Dawon Kahng nel 1959. Il MOSFET era il primo transistor vero compatto che potrebbe essere miniaturizzato e prodotto in seriee per una vasta gamma di usi. Con la sua alta scalabilità e molti consumo di energia più basso e più ad alta densità transistor di giunzione bipolare, il MOSFET ha permesso di costruire i circuiti integrati ad alta densità, permettendo l'integrazione di più di 10.000 transistor in singolo IC.

Transistor ad alta frequenza

Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz. Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore.

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