Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Creatore |
Quantità di ordine minimo: | 2 PCS |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | cartone |
Tempi di consegna: | 5-8 giorni |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
Altri modelli: | Skoda, CME, Sasib | Posizione: | Garniture |
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Qty. su ogni macchina: | 143 | Campione: | Soltanto una volta fatto pagare |
Bordo affilato: | Nessuno | Trasporto del mare: | Solo con ordini più grandi |
Evidenziare: | Transistor del silicio dell'imballatore GDX2,Transistor del silicio delle parti dell'imballatore GDX2,Transistor del silicio della macchina dell'imballatore GDX2 |
Transistor D2 PAK Electric del silicio dei pezzi di ricambio dell'imballatore GDX2
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Caratteristiche
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
• Senza piombo
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Supporto di superficie (IRFZ44NS)
• Attraverso-foro di basso profilo (IRFZ44NL)
Tubo a vuoto
Molti tipi di transistor sono fatti alle specifiche standardizzate dai produttori multipli.
Rispetto al tubo a vuoto, i transistor sono generalmente più piccoli e richiedono meno potere di funzionare. Determinati tubi a vuoti presentano i vantaggi sopra i transistor alle frequenze operative molto alte o alle alte tensioni di funzionamento.
Transistor ad alta frequenza
Questi sono stati fatti incidendo le depressioni in una base n tipa del germanio da entrambi i lati con i getti di indio (III) solfato finché non fosse alcuni ten-thousandths di un pollice densamente. L'indio ha placcato nelle depressioni ha formato il collettore e l'emettitore. Il primo transistor ad alta frequenza era il transistor del germanio della superficie-barriera sviluppato da Philco nel 1953, capace di funzionamento dei fino a 60 megahertz.
Persona di contatto: Henry
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